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Shaper Diamond Technology Co., Ltd
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9x9x0.3 मिमी सीवीडी प्रयोगशाला में उगाए गए हीरे के बीज कच्चे अनाज सिंथेटिक हीरे
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9x9x0.3 मिमी सीवीडी प्रयोगशाला में उगाए गए हीरे के बीज कच्चे अनाज सिंथेटिक हीरे

उत्पत्ति के प्लेस हुनान, चीन
ब्रांड नाम Infi
मॉडल संख्या जेएसडी
उत्पाद विवरण
अनुकूलित समर्थन:
ओईएम, ओडीएम
रंग:
बेरंग
अभिविन्यास:
4पीटी/100
आवेदन:
सीवीडी बीज, अनुसंधान
प्रमुखता देना: 

सीवीडी प्रयोगशाला में उगाए गए हीरे के बीज

,

अनकट प्रयोगशाला में उगाए गए हीरे के बीज

,

सीवीडी अनकट सिंथेटिक हीरे

भुगतान और शिपिंग शर्तें
न्यूनतम आदेश मात्रा
1-1000 पीसी
मूल्य
To be negotiated
पैकेजिंग विवरण
प्लास्टिक की थैली, ऑप बॉक्स या फिर से तैयार
प्रसव के समय
3-7 कार्य दिवस
भुगतान शर्तें
टी/टी
आपूर्ति की क्षमता
>1000pcs बातचीत करने के लिए
उत्पाद वर्णन

9x9x0.3 मिमी सीवीडी बीज प्रयोगशाला सीवीडी बढ़ो कच्चे अनाज सीवीडी हीरा प्लेट

उत्पाद का वर्णन:

एकल क्रिस्टल हीरा सीवीडी (रासायनिक वाष्प जमाव) एक प्रकार का हीरा है जो सीवीडी प्रक्रिया का उपयोग करके उत्पादित किया जाता है। इस प्रक्रिया में,कार्बन युक्त गैसों के मिश्रण को नियंत्रित परिस्थितियों में विघटित किया जाता है, जिसके परिणामस्वरूप एक सब्सट्रेट पर एकल क्रिस्टल हीरा परत का गठन होता है।

एकल क्रिस्टल हीरा सीवीडी अपनी असाधारण कठोरता और थर्मल चालकता के लिए जाना जाता है, जो इसे औद्योगिक और वैज्ञानिक अनुप्रयोगों की एक श्रृंखला के लिए उपयोगी बनाता है,जैसे कि काटने और पीसने के उपकरण, गर्मी फैलाने वाले, और ऑप्टिकल घटक।

 
कठोरता (माइक्रोकठोरता):80~150GPa

यंग का मॉड्यूलस:1150-130OGPa

घर्षण गुणांक:0.05 ~ 0.05

थर्मल विस्तार गुणांक:10-K-l

थर्मल चालकता:1500-2000 w/ (m·K)
 
उत्पाद का विवरणः

सीवीडी एकल क्रिस्टल हीरे के गुण:

 

चूंकि सीवीडी हीरे में कोई धातु उत्प्रेरक नहीं होता है, इसलिए इसकी थर्मल स्थिरता प्राकृतिक हीरे के करीब है।जैसे उच्च तापमान और उच्च दबाव कृत्रिम रूप से संश्लेषित पॉलीक्रिस्टलीय हीरा, सीवीडी हीरे के दाने भी असंगति में व्यवस्थित हैं, बिना भंगुर विखंडन विमानों के, इसलिए वे आइसोट्रोपिक हैं।

 

माइक्रोवेव प्लाज्मा-सहायित रासायनिक वाष्प जमाव विधि (एमपीएसीवीडी) का उपयोग करके,माइक्रोवेव अनुनाद प्रणाली का उपयोग कार्बन युक्त गैस और संक्षारक गैस को कम और मध्यम दबाव पर प्लाज्मा उत्पन्न करने के लिए तोड़ने के लिए किया जाता है, और एकल क्रिस्टल हीरा क्रिस्टल मॉडल की विकास रणनीति तैयार की गई है,ताकि हीरे के क्रिस्टल का उपयोग किया जा सकता है Homoepitaxial विकास प्रकार IIb हीरे के बीज क्रिस्टल के 100 और 110 और 111 विकास दिशाओं में प्राप्त किया जाता है

 

आकार Avविलायक:

सुझावित अनुप्रयोग एकल क्रिस्टल सीवीडी वृद्धि के लिए सुस्ट्रित/बीज
क्रिस्टल विकास प्रक्रिया: सीवीडी
रंगः रंगहीन
उपलब्ध आकारः 3x3x0.3 4x4x0.3 5x5x0.3
6x6x0.3 7x7x0.3 8x8x0.3
9x9x0.6 10x10x0.3 11x11x03
12x12x0.3 13x13x0.3 15x15x03
लाभः लंबाई, चौड़ाई और मोटाई सभी सकारात्मक सहिष्णुता हैं,
वहाँ कोई polycrystalline काले धब्बे, 20x आवर्धक कांच के नीचे दरारें नहीं हैं।
छोटे-छोटे खोए हुए कोनों के बिना काटने का काम एकदम सही है।
ध्रुवीकरण के तहत तनाव वितरण समान है।
अभिविन्यास: 4pt/100
साइड आयाम मापा गया छोटे पक्ष में
किनारे लेजर कट
किनारा अभिविन्यास <100> किनारे
चेहरे का अभिविन्यास {100} चेहरे
पक्षीय सहिष्णुता: एल + डब्ल्यू सहिष्णुता (0, +0.3 मिमी), मोटाई सहिष्णुता (0, +0.1 मिमी) ।
पक्ष 1, असमानता, रा दो पक्षों को पॉलिश किया गया, Ra < 20 nm
एक तरफ पॉलिश,
अनपॉलिश
बोरॉन सांद्रता [B]: <0.05 पीपीएम
नाइट्रोजन सांद्रता: < 20 पीपीएम

उत्पाद छविः

9x9x0.3 मिमी सीवीडी प्रयोगशाला में उगाए गए हीरे के बीज कच्चे अनाज सिंथेटिक हीरे 0

9x9x0.3 मिमी सीवीडी प्रयोगशाला में उगाए गए हीरे के बीज कच्चे अनाज सिंथेटिक हीरे 1

9x9x0.3 मिमी सीवीडी प्रयोगशाला में उगाए गए हीरे के बीज कच्चे अनाज सिंथेटिक हीरे 2

 
 
 
 
 
 

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